三星3nm芯片搶先量產,臺積電輸了么?
三星的3nm芯片終于在今天掀開面紗。三星宣布,基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱 “GAA”)制程工藝節(jié)點的芯片已經在其位于韓國的華城工廠啟動大規(guī)模生產。此舉使三星成為全球首家量產3nm芯片的公司。然而,搶先一步量產3nm芯片,并不意味著三星在與臺積電的“雙雄”之戰(zhàn)中占據了先機。三星3nm憑速度超越臺積電一路走來,三星3nm量產之路并不順利。今年4月,有消息傳出,三星基于
2022-07-01 09:43:57
來源:中國電子報、電子信息產業(yè)網 沈叢??

三星的3nm芯片終于在今天掀開面紗。三星宣布,基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱 “GAA”)制程工藝節(jié)點的芯片已經在其位于韓國的華城工廠啟動大規(guī)模生產。此舉使三星成為全球首家量產3nm芯片的公司。然而,搶先一步量產3nm芯片,并不意味著三星在與臺積電的“雙雄”之戰(zhàn)中占據了先機。

三星3nm憑速度超越臺積電

一路走來,三星3nm量產之路并不順利。

今年4月,有消息傳出,三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率才到10%~20%,遠低于預期,這意味著公司需要付出更高的成本。今年5月,業(yè)界再次傳出消息,三星3nm良率問題已解決,3nm GAA制程將如期量產。6月初,有消息稱,三星的3nm制程已經進入了試驗性量產。然而就在幾天后的6月22日,市場卻又傳出三星因良率遠低于目標延遲3納米芯片量產的消息。

數據來源:The Information Network

盡管“跌跌撞撞”,但三星依舊全力推進,終于搶在臺積電之前,成功量產了3nm。資料顯示,與其5nm工藝相比,三星第一代3nm工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%;而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面積減少35%。三星在3nm工藝中開始引入GAA架構。與當前的FinFET(鰭式場效應晶體管)工藝相比,GAA工藝可讓芯片面積減少45%的同時提升30%的性能,功耗降低50%。在這一層面,三星是大膽采用新技術的“革新者”。

GAA架構是“大膽而危險”的嘗試

與三星的大膽和急迫相比,其業(yè)內最大的競爭對手臺積電就顯得有些“不緊不慢”。在三星急于在3nm切入GAA架構之時,臺積電宣布其3nm中仍將沿用FinFET架構,在2nm時再切入GAA架構。雖然,GAA是在更小尺寸下更加被普遍看好的工藝結構,但在3nm技術節(jié)點中采用GAA架構,仍是一個值得商榷的問題。

數據來源:The Information Network

復旦大學微電子學院副院長周鵬表示,半導體技術隨著摩爾定律的發(fā)展的歷史,本身也是一部關于創(chuàng)新的歷史,里面凝聚了許許多多迭代創(chuàng)新技術,當然也包括了很多試錯的過程。工藝不穩(wěn)定等問題在每一代節(jié)點中都會面臨,這需要時間和技術上的改進迭代。

FinFET結構2011年便開始商業(yè)化,從22納米就已經開始采用,至今已經經歷了11年的發(fā)展,雖然在芯片進入到5nm之后,采用FinFET結構的芯片開始出現漏電等問題,但是相比較于嶄新的GAA結構,仍是相對穩(wěn)定和成熟的技術?!癎AA的工藝并不比FinFET簡單,它的發(fā)展也需要一個改進的過程。”周鵬向《中國電子報》記者表示。

臺積電卻似乎并沒有被三星“拼命三郎”般的追趕打亂量產的節(jié)奏。有消息稱,臺積電將在今年下半年向蘋果批量交付3nm制程的M2 Pro芯片,這足以說明眼下臺積電的3nm工藝已經具備量產條件,但臺積電卻在某論壇中不緊不慢地表示:3nm工藝試產順利,并預計在今年下半年才開始量產3nm。

“雙雄之戰(zhàn)”都是王者

除了3納米“撞檔”之外,三星與臺積電在2納米芯片量產時間上同樣你追我趕。三星計劃2025年量產采用GAA技術的2納米芯片,臺積電也將于2025年量產2納米芯片,并將以GAA工藝取代FinFET工藝。三星和臺積電在先進制程方面的競爭,還將在2nm中延續(xù)。

三星電子晶體管結構路線圖

圖片來源:三星電子

在3nm中搶先一步量產,是否意味著三星已經趕超了臺積電?在這場“雙雄之戰(zhàn)”中,會有絕對的“王者”嗎?

“如果僅從0到1的角度來分析,三星是第一個量產3nm的廠商,相比較與臺積電而言,固然是成功的。但放眼未來,若想評判誰更成功,還需要看三星3nm芯片的性能是否比臺積電的強,客戶選擇用誰的芯片更多?!敝麡I(yè)內專家莫大康向《中國電子報》記者表示。

在此之前,三星就有多次由于芯片性能出現問題,導致大客戶轉而尋求與臺積電合作的情況。例如,高通發(fā)布的搭載三星4nm工藝的驍龍8,陷入了功耗的滑鐵盧,因此,高通于今年5月發(fā)布的驍龍8的升級版驍龍8+,采用了臺積電4nm工藝。此外,NVIDIA的Ampere GPU也由于性能不佳,其下一代產品將轉而采用臺積電的芯片,這些GPU原本采用的是三星的8nm工藝制程。因此,此次三星的3nm制程,是否會再次陷入性能的“滑鐵盧”中,也難以預測。

實際上這場“代工雙雄”之間的競爭也沒有絕對的輸贏之分,因為絕大部分晶圓代工廠商已經完全告別了先進制程的競賽,使得諸多客戶只能在臺積電和三星之間進行“非此即彼”的選擇,而臺積電一家的產能,也難以維持龐大的先進制程市場。因此,哪怕三星的芯片有再次陷入性能“滑鐵盧”的風險,也依舊會有大批量的廠商愿意去“嘗嘗螃蟹”。

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